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16 Mbit LPC Serial Flash
A Microchip Technology Company
SST49LF016C
Data Sheet
DC Characteristics
Table 22: DC Operating Characteristics at 33 MHz and 66 MHz (All Interfaces)
Limits
Symbo
Unit
l Parameter
I DD1
Active V DD Current
Min
Max
s
Test Conditions
LCLK (LPC mode) =V ILT /V IHT
All other inputs=V IL or V IH
Read
Single-/Dual-Byte Program, Erase
Quad-Byte Program
18
40
60
mA
mA
mA
All outputs = open, V DD =V DD Max
I SB
Standby V DD Current
100
μA
LCLK (LPC mode) =V ILT /V IHT at
(LPC Interface)
LFRAME#=.9V DD
V DD =V DD Max
All other inputs ?? 0.9 V DD or ? 0.1 V DD
I RY2
Ready Mode V DD Current
10
mA
LCLK (LPC mode) =V ILT /V IHT
LFRAME#=V IL , V DD =V DD Max
All other inputs ?? 0.9 V DD or ? 0.1 V DD
I I
Input Leakage Current for ID[3:0]
200
μA
V IN =GND to V DD , V DD =V DD Max
pins
I LI
I LO
I H
Input Leakage Current
Output Leakage Current
Supervoltage Current for WP#/AAI
1
1
200
μA
μA
μA
V IN =GND to V DD , V DD =V DD Max
V OUT =GND to V DD , V DD =V DD Max
V H
Supervoltage for WP#/AAI
8.5
9.5
V
V IHI
3
INIT# Input High Voltage
1.1
V DD +0.
V
V DD =V DD Max
5
V ILI3
V IL
V IH
INIT# Input Low Voltage
Input Low Voltage
Input High Voltage
-0.5
-0.5
0.5
0.4
0.3 V DD
V DD +0.
V
V
V
V DD =V DD Min
V DD =V DD Min
V DD =V DD Max
V DD
5
V OL
V OH
Output Low Voltage
Output High Voltage
0.9
0.1 V DD
V
V
I OL =1500 μA, V DD =V DD Min
I OH =-500 μA, V DD =V DD Min
V DD
T22.1 25029
1. I DD active while a Read or Write (Program or Erase) operation is in progress.
2. The device is in Ready mode when no activity is on the LPC bus.
3. Do not violate processor or chipset specification regarding INIT# voltage.
Table 23: Recommended System Power-up Timings
Symbol
T PU-READ1
T PU-WRITE1
Parameter
Power-up to Read Operation
Power-up to Write Operation
Minimum
100
100
Units
μs
μs
T23.0 25029
1. This parameter is measured only for initial qualification and after a design or process change that could affect this
parameter
?2011 Silicon Storage Technology, Inc.
31
DS25029A
06/11
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